Pressmitteilung von: Infineon
München, 26. März 2020 – Die Infineon Technologies AG (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY) erweitert das Portfolio der CoolSiCTM Schottky-Dioden 1200 V um sechs Bauelemente im D²PAK-Gehäuse mit lediglich zwei Pins. Durch die Verwendung solcher SMD-Gehäuse können Designs kompakter und kostengünstiger gestaltet werden. Darüber hinaus entfällt bei dem neuen D²PAK-Gehäuse der mittlere Pin, so dass die Kriechstrecke bei 4,7 mm und die Luftstrecke zwischen den Pins bei 4,4 mm liegt. Im Vergleich zum Standard- D²PAK -Gehäuse erhöht dies die Sicherheitsmargen deutlich. Die Dioden eignen sich perfekt für Anwendungen wie industrielle Stromversorgungen und DC-Ladestationen, unterbrechungsfreie Stromversorgungen und Solar-String-Wechselrichter.
Die neuen Bausteine verwenden die 1200 V CoolSiC Schottky-Dioden-Technologie der fünften Generation von Infineon. Diese bietet die industrieweit beste Vorwärtsspannung und hohe Stoßstromfähigkeit. Außerdem verhindert sie Sperrverzögerungsverluste und ermöglicht ein temperaturunabhängiges Schaltverhalten. Diese Merkmale sorgen bei Designs mit höheren Schaltfrequenzen für einen geringeren Kühlungsbedarf und kleinere passive Komponenten. Die CoolSiC Schottky-Dioden 1200 V G5 mit einer Nennleistung von 2 A bis 20 A stellen das branchenweit größte Portfolio für D²PAK -Gehäuse mit nur zwei Pins dar.
Mit der Verwendung der neuen SiC-Dioden im D²PAK -Gehäuse können die Entwickler eine neue Stufe der Leistungsdichte und Zuverlässigkeit im Vergleich zu Si-Lösungen erreichen. In Kombination mit anderen Produkten von Infineon, wie zum Beispiel CoolSiCTM MOSFETs 1200 V oder TRENCHSTOPTM 1200 V IGBT6 und EiceDRIVERTM Gate-Treiber-ICs, bietet das neue Portfolio eine Komplettlösung für Designs mit höchster Effizienz.
Verfügbarkeit
Die CoolSiC Schottky-Dioden 1200 V G5 können ab sofort bestellt werden. Weitere Informationen sind erhältlich unter www.infineon.com/sicdiodes1200v.
Author: Infineon Technologies AG
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