Pressmitteilung von: Infineon
Das Portfolio der neuen TRENCHSTOP-Familie umfasst die Nennströme 20 A, 30 A, 40 A, 50 A und 75 A. Es kann problemlos vorherige Technologien ersetzen und eignet sich für die Parallelschaltung. Damit zielt Infineon vor allem auf Anwendungen in den Bereichen industrielle Motorantriebe, Blindleistungskompensation, Photovoltaik und unterbrechungsfreie Stromversorgungen.
Basierend auf der neuen Micro-Trenchtechnologie weist der TRENCHSTOP IGBT7-Chip geringere statische Verluste aus. Bezogen auf die gleiche Stromklasse wird die Durchlassspannung um zehn Prozent reduziert. Dies führt zu einer erheblichen Reduzierung von Verlusten in der Anwendung – insbesondere bei industriellen Antrieben, die in der Regel mit geringeren Schaltfrequenz arbeiten. Der IGBT-T7-Chip hat eine sehr niedrige Sättigungsspannung (V CE(sat)) und ist mit einer emittergesteuerten Diode der 7. Generation (EC7) kombiniert. Diese sorgt für einen um 150 mV niedrigeren Vorwärtsspannungsabfall (V F) und eine sanfte Sperrverzögerung.
Das TO-247-Bauteil zeichnet sich durch eine hervorragende Steuerbarkeit und ein ausgezeichnetes EMI-Verhalten aus. Es kann leicht angepasst werden, um das anwendungsspezifisch beste Verhältnis von dv/dt und Schaltverlusten zu erreichen. Der 650 V TRENCHSTOP IGBT7 bietet die in den Applikationen benötigte Kurzschlussfestigkeit. Zusätzlich hat er den JEDEC-basierten HV-H3TRB-Test (High Voltage High Humidity High Temperature Reverse Bias) bestanden, der die Zuverlässigkeit in einer sehr feuchten Umgebung belegt. Diese kommt häufiger bei industriellen Anwendungen vor.
Verfügbarkeit
Das diskrete Bauteil 650 V TRENCHSTOP IGBT7 kann ab sofort bestellt werden. Weitere Informationen sind erhältlich unter https://www.infineon.com/igbt7.
Author: Infineon Technologies AG
>>> Hier können Sie die komplette Pressemitteilung lesen! <<<
Lesen Sie auch auf Born2Invest: 10 bewährte Instagram Marketing-Taktiken, die B2B-Unternehmen jetzt anwenden sollten
