Pressmitteilung von: Infineon
München, 20. Mai 2020 – Der Doppelpulstest ist ein Standardverfahren für Entwickler, um das Schaltverhalten von Leistungshalbleitern zu evaluieren. Eine modulare Evaluierungsplattform der Infineon Technologies AG erleichtert jetzt das Testen von Treiberoptionen für den 1200 V CoolSiCTM MOSFET im TO247 3-Pin- und 4-Pin-Gehäusen. Ihr Kernstück besteht aus einer Hauptplatine, auf die unterschiedliche Treiberkarten aufgesteckt werden können. Diese umfassen eine Option mit Miller-Clamp und eine für bipolare Versorgung; weitere Varianten werden in naher Zukunft auf den Markt kommen. Dieses Portfolio trägt dazu bei, die Markteinführungszeit für zahlreiche Anwendungen zu verkürzen und somit Siliziumkarbid massentauglich zu machen.
Die Hauptplatine der Evaluierungsplattform ist in zwei Abschnitte unterteilt, die primäre Versorgungsseite und die sekundäre Seite. Auf der Primärseite werden die 12-V-Versorgung und die Pulsweitenmodulation (PWM) angeschlossen. Auf der Sekundärseite befinden sich die Sekundärversorgung des Treibers sowie die Halbbrücke mit Anschlüssen für den Shunt zur Strommessung und die externe Induktivität. Die positive Betriebsspannung der Treiber kann zwischen +7,5 und +20 V eingestellt werden, die negative Spannung zwischen +1 V und -4,5 V. Die Hauptplatine wurde für eine maximale Spannung von 800 V und einen maximalen Pulsstrom von 130 A ausgelegt. Für Messungen bei höheren Temperaturen von bis zu 175Grad Celsius kann der Kühlkörper zusammen mit einem Heizelement verwendet werden.
Die Treiberkarten dienen als Referenzdesign für zwei Ansteuerungsoptionen und enthalten Treiber-ICs aus der EiceDRIVERTM Familie, die für das hochfrequente Schalten von SiC-Leistungsbauelementen geeignet sind. Die erste modulare Karte beinhaltet den 1EDC Compact 1EDC20I12MH mit einer integrierten aktiven Miller-Clamp, der typischerweise unter 2 V aktiviert wird. Die zweite Treiberkarte enthält den 1EDC Compact 1EDC60H12AH, der eine bipolare Versorgung ermöglicht, wobei VCC2 +15 V und GND2 negativ ist. Mit diesen beiden Treiberkarten deckt das Portfolio bereits jetzt einen großen Teil der von Designern bevorzugten Optionen für die Ansteuerung von SiC-MOSFETs ab.
Verfügbarkeit
Alle drei Komponenten der modularen Evaluierungsplattform – Hauptplatine, Miller-Clamp- und bipolare Treiberkarten – können ab sofort bestellt werden. Eine weitere Treiberkarte mit Kurzschlusserkennung soll im Sommer 2020 ins Portfolio aufgenommen werden, eine Karte für SMD-Gehäusetests folgt in der zweiten Hälfte dieses Jahres. Weitere Informationen sind erhältlich unter www.infineon.com/tools.
Author: Infineon Technologies AG
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