Pressmitteilung von: Infineon
München und Taipeh, Taiwan, 24. September 2020 – Mit zunehmender Digitalisierung steigt der Bedarf an Rechenzentren und damit der Stromverbrauch. Getrieben vom globalen Phänomen der Klimaerwärmung nimmt daher die Bedeutung eines energieeffizienten Betriebs zu. Zur Evaluierung können die 2004 von der nordamerikanischen 80 PLUS-Initiative eingeführten Messstandards herangezogen werden. Sie dienen zur Bewertung und Zertifizierung der Effizienz von Schaltnetzteilen. Ein Zertifikat wird dann erteilt, wenn diese an definierten Lastpunkten einen Wirkungsgrad von mindestens 80 Prozent erreichen. Lösungen mit dem 80-PLUS-Zertifikat tragen somit dazu bei, den Energiebedarf der Digitalisierung zu reduzieren.
Das Lite-on-Management ist überzeugt, dass es für Siliziumkarbid bei Anwendungen wie Solarwechselrichtern bereits einen Massenmarkt gibt. Zusammen mit Infineon ist es jetzt sein Ziel, die Relevanz auch für den Server-Markt herauszustellen. Die Technologie eignet sich sehr gut für diesen Anwendungsbereich und bietet auf Systemebene das ideale Verhältnis von Leistung und Kosten. Lite-on freut sich auf die Markteinführung des auf Siliziumkarbid basierenden Netzteils, das die Vorgabe nach 96 Prozent Effizienz für das Titanium-Zertifikat sogar übertrifft.
„Alle Bereiche unseres Lebens sind von der digitalen Transformation durchdrungen: Wirtschaft, Staat, Gesellschaft und Alltag“, sagt Stefan Obersriebnig, Leiter der Produktlinie High Voltage Conversion der Power & Sensor System Division von Infineon. „Rückgrat dieser Digitalisierung sind die Millionen Server, die in Rechenzentren rund um den Globus stehen. Unsere CoolSiC-Technologie sorgt für die höchstmögliche Energieeffizienz beim Betrieb dieser Serverfarmen gepaart mit bisher unerreichter Leistungsdichte. Das reduziert den Energiebedarf, führt zu geringerem Ausstoß von Treibhausgasen und reduziert die Stromkosten für den Betreiber.“
Die hohe Energieeffizienz des Netzteils von Lite-on beruht unter anderem auf den diskreten 650 V Siliziumkarbid-MOSFETs von Infineon. In der als Totem-Pole gestalteten PFC-Stufe werden zwei der Bausteine im TO247-3-Gehäuse eingesetzt. Darüber hinaus unterstützen zahlreiche andere Halbleiterprodukte das Design, von CoolSiC Schottky Dioden 650 V bis hin zu unterschiedlichen CoolMOSTM- und OptiMOSTM-Leistungshalbleitern.
Author: Infineon Technologies AG
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